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泛林集团推出先进介电质填隙技术
泛林集团推出先进介电质填隙技术,推动下一代器件的发展
录入时间:2020/9/27 11:19:05

泛林集团推出先进介电质填隙技术,推动下一代器件的发展

全新Striker ® FE增强版原子层沉积平台可解决3D NANDDRAM和逻辑芯片制造商面临的挑战

上海——全球半导体产业创新晶圆制造设备及服务主要供应商泛林集团 (Nasdaq: LRCX) 宣布推出一款全新的工艺方案——先进的Striker® FE平台——用于制造高深宽比的芯片架构。Striker FE平台采用了业界首创的ICEFill™技术,以填充新节点下3D NANDDRAM和逻辑存储器的极端结构。不仅如此,该系统还具备更低的持续运行成本和更好的技术延展性,以满足半导体产业技术路线图的发展。

 

 

全新的工艺方案——先进的Striker® FE平台

半导体制造行业一直以来使用的填隙方法包括传统的化学气相沉积 (CVD)、扩散/熔炉和旋涂工艺。然而,由于这些技术需要在质量、收缩率和填充率之间权衡取舍,因此已无法满足当前3D NAND的生产要求。相比之下,泛林集团的Striker ICEFill采用其独有的表面改性技术,可以实现高选择性自下而上及无缝的填隙,并保持原子层沉积 (ALD) 固有的成膜质量。 ICEFill技术能够解决3D NAND器件普遍存在的高深宽比填隙面临的限制,避免DRAM和逻辑器件结构倒塌的问题。

泛林集团高级副总裁兼沉积产品事业部总经理Sesha Varadarajan表示:“我们致力于为客户提供最好的ALD技术。在单一工艺系统中,这项技术不仅能够以优异的填隙性能生产高质量氧化膜,还整合了泛林集团行业领先的四位一体的模块架构带来的生产率优势。”

                                                                   (LAM)

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